规格书 |
|
RoHS |
RoHS Compliant |
晶体管极性 |
N-Channel |
漏源击穿电压 |
20 V |
源极击穿电压 |
+/- 8 V |
连续漏极电流 |
880 mA |
抗漏源极RDS ( ON) |
400 mOhms at 2.5 V |
配置 |
Dual |
最高工作温度 |
+ 150 C |
安装风格 |
SMD/SMT |
封装/外壳 |
PG-SOT-23 |
封装 |
Reel |
下降时间 |
0.9 nS |
栅极电荷Qg |
0.26 nC |
最低工作温度 |
- 55 C |
功率耗散 |
500 mW |
上升时间 |
2.2 nS |
典型关闭延迟时间 |
7.8 nS |
零件号别名 |
BSD840N BSD840NH6327XTSA1 H6327 |
寿命 |
New Product: New from this manufacturer. |
系列 |
BSD840 |
RDS(ON) |
400 mOhms |
工厂包装数量 |
3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
20 V, 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage |
300 mV, 300 mV |
宽度 |
1.25 mm |
Qg - Gate Charge |
260 pC, 260 pC |
Vgs - Gate-Source Voltage |
8 V, 8 V |
品牌 |
Infineon Technologies |
通道数 |
2 Channel |
晶体管类型 |
2 N-Channel |
正向跨导 - 闵 |
2.5 S, 2.5 S |
Id - Continuous Drain Current |
880 mA, 880 mA |
长度 |
2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
270 mOhms, 270 mOhms |
通道模式 |
Enhancement |
身高 |
0.9 mm |
典型导通延迟时间 |
1.9 ns, 1.9 ns |
Pd - Power Dissipation |
500 mW |
技术 |
Si |